对残余的气体分析的用途在=
半导体热量处理模=
块
摘要
在= 412;文，我们将谈论残= 余的气体分析(RGA)的应用为描绘= ，并且解决困难的扩= 5955;炉和迅速上升暖流= 3;炼(RTA) 反应器。 被描绘的例子工= 具是Tokyo Electron (T.E.L.) = 垂直的大气熔炉，垂直的低压= 化学气相沉积 (LPCVD)熔炉和Applied Materials (AMAT)= 迅速热量金属治= 疗和迅速热量处理器= 2290; 介绍
科技=
目前Ű=
27;Ē=
93;水平半ë=
48;Ë=
07;制造Ç=
94;当Ò=
69;形成更加了不起的巨=
大的挑û=
12;z=
90;
必须
热量过程取决主要&#=
20110;三个Ð=
51;键参ŵ=
27;： 温度、气=
Ë=
07;流量控制，气Ë=
07;化学Ø=
44;Õ=
87;Ó=
47;在反ò=
12;Ý=
20;之内z=
90; 然而=
温ò=
30;和Õ=
87;Ó=
47;控制通Ű=
07;ä=
06;在ſ=
81;环Ą=
41;法欣然体会ʌ=
92;È=
26;买ô=
71;起的唯一的控制反<=
span
lang=3DZH-CN style=3D'font-family:SimSun;mso-bidi-font-family:SimSun'>ò=
12;Ý=
20;化学į=
40;İ=
17;ÿ=
11;是气Ë=
07;流量控制的目Ċ=
31;;
这结ĉ=
24;是不充分，因È=
26;Ö=
53;ò=
12;Ý=
20;化学Ö=
63;作用的在排气ļ=
49;影响Ë=
63;如外在泄漏或反ò=
12;Ý=
20;封印，
有这个水平的=
气体污秽侦查能力和=
0250;集气体化学基础线ਤ=
8;据的好处将被发现
&#=
27809;有真空污染控制，=
许多工具 =
设定和工具=
化学匹配将必须使用=
7979;试薄酥饼奔跑完成࠸=
0;收集资料-一个非常繁琐的过程。=
另外=
5292;解决困难这些反应=
器可以是困难的。 反应器一般是=
非常污秽自由和容忍=
1040;污秽极为低; 气߮=
7;污秽侦查在=
真正的时间允许工程=
4072;对`同辈’
结果
残余的气Ë= 07;分析数þ= 54;在被采取的ť= 68;ä= 10;行Ó= 60;帮Ó= 61;了前Ā= 68;ă= 13;Ű= 27;ð= 37;具表Ĩ= 16;Ø= 44;改Ű= 27;过ĸ= 43;和ť= 74;ê= 50;。 以下= 三个Ë= 63;子Ŧ= 28;ą= 26;在一很好被做在Texas Instruments的三= 不同用途(KFAB)。
例子=
1
：=
ë=
45;残Ë=
13;的气Ë=
07;分析的用途Õ=
27;Ó=
61;迅速上升暖流的
设定=
6805;速上升暖流的例子ࢷ=
2;表1锻炼=
2676;工具显示。气体污ల=
9;侦查完成补全持续的&=
#26597;明故障努力; 迅速=
9978;升暖流锻炼工具使用二次=
;合格试验具有资=
格： 锻炼=
9968;个知道的被掺杂的൚=
0;酥饼被薄层电阻的测&=
#37327;在一光秃硅片和测%=
327;厚度和厚度均一跟随=
;了和，生长一种氧化&#=
29289;。 主要=
0151;状是这台反应器=
(a)没੍=
7;匹配在同一个系统或二台反=
应器登上从另一个相=
0284;的工具的任一台反ॵ=
2;器B。 具体=
2320;，如果温度扭动在薄层电=
阻被做对工具调整，=
7687;化物厚度不会配比ᦁ=
2;并且，如果氧化物厚&=
#24230;被扭捏了，薄层电&=
459;不会配比。
氧化物&#= 25104;ž= 71;资Ċ= 84;Ű= 07;ĸ= 43;È= 26;清Ɓ= 00;跟随į= 40;ê= 54;际É= 08;氧Ô= 70;硅成ž= 71;Ë= 51;用百分之一百氧气É= 97;百分之一百氮气z= 90; 使用残Ë= 13;的气Ë= 07;分析，它ŝ= 87;Ö= 57;现ʌ= 92;一旦氧Ô= 70;物ť= 77;š= 28;Ű= 07;ĸ= 43;ó= 20;å= 87;了，清Ɓ= 00;氮气ŝ= 87;氧气ß= 12;Þ= 70;Ĕ= 04;È= 26;对应į= 40;温ò= 30;期望没ê= 36;全地替þ= 42;Ű= 96;成一ķ= 81;ć= 56;加稀薄的氧Ô= 70;物如被Ŧ= 28;ą= 26;：
![](3D"inSituHost_thermal_brochure_ChinaB_files/image002.gif")
![](3D"inSituHost_thermal_brochure_ChinaB_files/image004.gif")
图1 ：=
气相
RTA房ſ=
88;的污秽侦查
通知=
以Ű=
25;Ì=
49;息，工具ť=
74;备ð=
37;程ð=
72;发现ʌ=
92;因此，气Ó=
60;阀负责Ê=
19;ë=
45;关闭氮气ė=
69;程没ć=
77;接受命令Ð=
51;闭ʌ=
92;只有流量控制器在零=
的目Ċ=
31;Ò=
46;ń=
22;ė=
69;程。
这ŝ=
87;Ö=
57;现真实į=
40;在所有四台反ò=
12;Ý=
20;，然而明ą=
74;ß=
20;流量控制器在反ò=
12;Ý=
20;A
是较
例子= 2 ：= ë= 45;气Ë= 07;ĕ= 45;秽侦查į= 40;用途解决Þ= 56;Ɓ= 90;ä= 23;气Õ= 87;Ģ= 76;炉：
![](3D"inSituHost_thermal_brochure_ChinaB_files/image006.gif")
图2 ：=
气体一个大气压氧化作用熔炉的污秽侦查
解<=
span
lang=3DZH-CN style=3D'font-family:"MS Mincho";mso-bidi-font-family:"MS Minc=
ho"'>决Þ=
56;Ɓ=
90;Ç=
68;个ä=
23;气氧Ô=
70;作用熔炉į=
40;例子在表2ą=
74;Ķ=
34;以上。
工具，
.
给出这研究结果，&#= 24037;具石英被Ƌ= 64;Ċ= 80;了，并Ç= 88;与ë= 45;ij= 07;英氮气清Ɓ= 00;流程的Ö= 64;动Ø= 44;此一起安装的一个ć= 56;好的海豹捕Ħ= 54;Ƃ= 46;件ë= 48;Ō= 68;好改善在厚&#= 24230;均一区à= 95;分区并Ç= 88;横ū= 28;整体装ů= 33;z= 90;
&nb= sp; = &nb= sp; =
例子= 3 ：= ë= 45;残Ë= 13;的气Ë= 07;Ë= 90;查į= 40;用途改Ű= 27;Ë= 02;Õ= 87;Ô= 70;学气İ= 56;沉ĸ= 15;(LPCVD)熔炉į= 40;Ű= 07;ĸ= 43;：
![](3D"inSituHost_thermal_brochure_ChinaB_files/image009.gif")
图5 ： 对真空污染控制的用=
途改=
进=
低=
压=
化学气=
相沉=
积 (LPCVD)过程
残余的气体分析也用于食谱设定。 比过程B处理A是一个更=
152;稳定的过程; 参见=
270; 5上述，它能被看=
见处理B有最多每百万的315份 (PPM)水对过=
程A以最多每百万=
;的114份(PPM) 水。 二个过程之间的&#=
21306;别是基本的压力区别： 处理B基地在400毫托对150毫托=
为过程 A。 数据=
552;供工艺工程师以更多信息得出一个结论关于过程B.的实施=
290;
结=
论
真空污染控制在半导体可以是重大财产为热量过程监#=
270;很好。 系统用=
110;解决困难机=
120;和过程问题=
，描绘反应器=
644;提高工艺过程=
;开发。 对残余的气体分析的用途可能减少测试=
薄酥饼的数量=
110;跑需要为了实 =
616;目标，因=
为每‘
工具在查明故障大气压过=
程中证明了特殊贵重物品。 在大多这些工具，在机上能=
147;可以是非常有限的。=
; 系统不=
487;能为上升泄漏检查的率大概抽。 许多流量控制不可能为同一个原因被=
测试。
描绘由=
037;艺工程师允许更加聪明的决定=
290; 偶尔地，早先=
;未被注意的问题将被查出。 当查明=
925;障是需要的，一大好处在将来将来。
当对气体污秽侦查的成功的用途=
;的例子在一个热量模=
块被展示了<=
span
lang=3DZH-CN style=3D'font-size:12.0pt;font-family:SimSun;mso-bidi-font-fam=
ily:
SimSun;mso-fareast-language:ZH-CN'>时，方法可以用=
;于其他“化学受抚养者”
=
0495;空污染控制模=
411;
一个模!=
539;模型为真空污染=
511;制可能发现在IBM。 IBM有=
;长的历史=
381;靠这技术为=
程序控制和缺点禁止=
2290; 可以是博学的从他们的经验=
的研究。=
IBM曾经是几乎完全地独立的以他们的分析=
仪器综合化。 他=
;们购买了气体污 =
229;质谱仪从一个主要供=
应商，但为软件使用了内部资源=
290; 另外，所有他=
;们的硬件界面模=
;块内部被生产了(“IBM残余的气体=
998;析系统”
当IBM队退休，它的一名关键成员被决定修改战略。
今天IBM从MKS Instruments 开始了合作，=
;但仍然主要是供应商&#=
30340;独立。 他们的内部队负=
;责综合化软件。 硬件界面模=
块通过MKS Instruments获取，符合=
IBM由供应的规格。=
关键=
6159;那在没有点安排IBM变得依赖于分=
;析仪器供应商。 知识产权关心是=
;重要考虑。
为=
102;设计气体污秽侦查解=
;答，有综合信息关于&#=
34180;酥饼的环境，包括ê=
27;的历史是必要的.
有效=
2320;实施气体污=
秽侦查编程顾客有选=
5321;： 变得充分地=
能干用分析仪器平台=
6825;样他可以成为关键ஷ=
2;户或者充分地透=
露所有薄酥饼信息对供=
营商。
由剩=
0313;的独立，IBM不仅保护他们的知识=
135;权，他们也保证系统=
;在保修期以后将起作&#=
29992;。 =
“先进的软件<=
span
style=3D'font-size:12.0pt;mso-fareast-language:ZH-CN'>”
掌握软件从分析=
仪器供应商顾客是可=
3021;的。 原始的IBM软件系统(“A。P.L.: 一种编程语言”)是非常笨拙的=
;。 然而，如果=
顾客希望实=
施气体污秽侦查解答=
5292;不用一种极大的投ภ=
4;， “推进了”软件从残余的气体=
998;析供应商不是一个合=
;理的选择。
通过插入入操=
作，真空污染控制硬=
0214;公司希望成为处理ಲ=
8;合化专家。 这个技巧可=
能然后是被操纵入未来事=
务，特别是与也许需=
5201;处理综合化专门技ੑ=
5;的客户。
我们的产品<=
span
style=3D'font-size:12.0pt;mso-fareast-language:ZH-CN'>(In Situ Host) =
提供一个选择。 作为IBM=
获取残余的气体分析=
0828;件从外面，我们的产品 (In Situ Host) =
;运用硬件=
0174;主要供应商。 并且，因为IBM=
保证关键用户=
将是内部的，我们的产品(In Situ Host) =
促进这个选择以=
;一个用户友好的接口&#=
35774;计。 =
另外=
5292;我们的产品<=
span
style=3D'font-size:12.0pt;mso-fareast-language:ZH-CN'>(In Situ Host)=
容易地集成=
顾客的数据=
仓库(充分地COM 服从)=
，允许气体污秽=
侦查结果是“被开采的数据=
”.
=
1442;考：
在一套热的过程组件= ;中的剩余的气体分析&#= 30340;实用的使用(“The Practical = Use of Residual Gas Analysis in a Thermal Process Module),” 在半导体= 1046;造上的国际讨论会(International Symposium on Semiconductor Manufacturing) (ISSM) Proceedings, 2001, = Brian Bradshaw & Jimmy Hashem (Texas Instruments – KFAB)
![3D"Text](3D"inSituHost_thermal_brochure_ChinaB_files/image010.gif")
&n= bsp; = ; &n= bsp; = ; &n= bsp; = ; &n= bsp; = ; &n= bsp; = ; &n= bsp; = ; &n= bsp; = ; &n= bsp; = ; &n= bsp; = ; &n= bsp;
Bradshaw
Vacuum Technology
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THERMAL PROCESS MONITOR &nbs=
p; &=
nbsp; &nbs=
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